Gatteroxid, so wird die isolierende Schicht bezeichnet, die ein Transistor benötigt, um zu funktionieren. Für diese Schicht wird bis heute Siliziumdioxid verwendet, eine weitere Verkleinerung der Transistoren lässt dieser Stoff aber auf Dauer nicht zu. Wissenschaftlern der Technischen Universitäten in Clausthal und Wien ist es gelungen eine Substanz (Strontiumtitanat) zu entwickeln, die auch dann ihre isolierenden Eigenschaften behält, wenn sie in extrem dünnen Lagen zum Einsatz kommt. Siliziumdioxid hingegen verliert seine isolierenden Eigenschaften in zu dünnen Lagen. Nach eigenen Angaben der Wissenschaftler ist ihnen damit ein Durchbruch in der Entwicklung kleinerer, leistungsfähigerer Transistoren gelungen.
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Intel Pentium IV 2266 MHz @ 2907 MHz mit 1.72 Volt
Bei SOI wird eine Oxyd Schicht zwischen die einzelnen Siliziumlagen eingefügt, damit wird der Energie-Verlust der Transistoren bei hohen Taktfrequenzen reduziert.
Ähnlich schon aber bei SOI wird halt immer noch ne Oxyd Schicht verwendet. Auch wird SOI wohl kaum so ne dünne Schicht sein.
(Geändert von Deathblow DoG um 13:10 am Jan. 4, 2004)
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Ratber offline
Real OC or Post God ! 23 Jahre dabei !
Genau.
Es geht ja darum Materialien zu finden die besser isolieren und gleichzeitig gut verarbeitbar sind (Man kann ja nicht beliebig kombinieren wie man will).
Ich hab oben vergessen reinzusetzen das die Einsatzreife noch 2-3 Jahre dauern wird (Mittlere Packungsdichte.Die ganz Feinen Strukturen dauern nochmal 1-2 Jahre)
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